[发明专利]成像器件和包括其的电子装置在审

专利信息
申请号: 201710286400.7 申请日: 2013-02-20
公开(公告)号: CN107197176A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 植野洋介 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H04N5/357 分类号: H04N5/357;H04N5/365;H04N5/374;H03K5/08;H03K5/24;H03M1/08;H03M1/56;H03M1/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 李芳华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了成像器件和电子装置。该成像器件包括像素,配置为输出像素信号;基准信号生成电路,配置为输出基准信号;比较器,包括第一晶体管,该第一晶体管的栅极配置为接收该像素信号;第二晶体管,该第二晶体管的栅极配置为接收该基准信号;第三晶体管,该第三晶体管的源极或漏极之一耦接到第一固定电势,并且该第三晶体管的源极或漏极的另一个耦接到该第一晶体管的源极或漏极之一以及该第二晶体管的源极或漏极之一;电容器,耦接到该第一晶体管的源极或漏极的另一个以及该第二晶体管的源极或漏极的另一个;第四晶体管,该第四晶体管的源极或漏极之一耦接到第二固定电势,并且该第四晶体管的源极或漏极的另一个耦接到该电容器;和第五晶体管。
搜索关键词: 成像 器件 包括 电子 装置
【主权项】:
一种成像器件,包括:像素,配置为输出像素信号;基准信号生成电路,配置为输出基准信号;比较器,包括:第一晶体管,该第一晶体管的栅极配置为接收该像素信号;第二晶体管,该第二晶体管的栅极配置为接收该基准信号;第三晶体管,该第三晶体管的源极或漏极之一耦接到第一固定电势,并且该第三晶体管的源极或漏极的另一个耦接到该第一晶体管的源极或漏极之一以及该第二晶体管的源极或漏极之一;电容器,耦接到该第一晶体管的源极或漏极的另一个以及该第二晶体管的源极或漏极的另一个;第四晶体管,该第四晶体管的源极或漏极之一耦接到第二固定电势,并且该第四晶体管的源极或漏极的另一个耦接到该电容器;和第五晶体管,该第五晶体管的栅极耦接到该第四晶体管的源极或漏极之一,该第五晶体管的源极或漏极之一耦接到该第二固定电势,并且该第五晶体管的源极或漏极的另一个耦接到该第四晶体管的栅极。
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