[发明专利]一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710239555.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107196187A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨亿斌;李京波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法，该激光器自下而上依次由n型电极、GaAs衬底、图形化底部反射镜、n型GaAs、n型AlGaAs、InGaAs/AlGaAs有源层、p型AlGaAs、p型GaAs、透明导电层、顶部反射镜、p型电极构成，所述图形化底部反射镜为圆环结构，所述圆环结构的内径为1μm～30μm，所述圆环结构的外径为3μm～50μm；所述图形化底部反射镜由SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5中的两种材料相互交叠而成。本发明还公开了一种GaAs基垂直腔面发射激光器的制备方法。本激光器具有尺寸大小可控、位错密度低、缺陷少，漏电源低、性能稳定、量子效率高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 垂直 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器自下而上依次由n型电极、GaAs衬底、图形化底部反射镜、n型GaAs、n型AlGaAs、InGaAs/AlGaAs有源层、p型AlGaAs、p型GaAs、透明导电层、顶部反射镜、p型电极构成。
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