[发明专利]一种医用316L不锈钢表面二维有序纳米Se点阵的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710236891.4 申请日: 2017-04-12
公开(公告)号: CN106967976B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 倪似愚;梅琳;刘玉昆;崔冉 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C18/54;C25D11/34;A61L31/08;A61L31/16
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;魏峯
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种医用316L不锈钢表面二维有序纳米Se点阵的制备方法,包括:(1)将316LSS置于高氯酸的乙二醇电解液中,阳极氧化,得到具有纳米凹坑阵列的316LSS;2)将亚硒酸或亚硒酸盐溶液在搅拌下滴加到抗坏血酸溶液中,搅拌,得到Se溶液;(3)将步骤(2)中的Se溶液滴入到步骤(1)中的具有纳米凹坑阵列的316LSS中,‑5℃~10℃静置4~24h,清洗,干燥,煅烧即得。本发明解决了制备有序纳米Se点阵的问题,制备方法简单高效,环境友好,成本低廉;得到的Se纳米点阵粒径均一且分布规整,纳米Se点阵结构长程有序且分布密集,可用于材料表面功能改性和抗菌抗肿瘤等生物医药领域。
搜索关键词: 一种 医用 316 不锈钢 表面 二维 有序 纳米 se 点阵 制备 方法
【主权项】:
1.一种医用316L不锈钢表面二维有序纳米Se点阵的制备方法,包括:(1)316LSS表面纳米凹坑阵列的制备:将316LSS于高氯酸、乙二醇的混合液(V:V=1:15)中,体系溶液温度为0℃,40V阳极氧化10min,坑径为50nm,坑深为5nm,坑密度为1.5×1010(个/cm2);(2)Se溶液的制备:将0.1g的亚硒酸钠加入到10mL温度为3℃的去离子水中,搅拌均匀;将0.2g的抗坏血酸加入到20mL温度为3℃的去离子水中,搅拌均匀,然后保持温度为0℃边搅拌边将亚硒酸钠溶液滴加入抗坏血酸的水溶液中,时间为1min,得到Se溶液;(3)将(2)中制得的Se溶液迅速滴入到装有纳米坑阵列的316LSS的玻璃小瓶中,5℃静置4h;(4)取出样品,用乙醇和去离子水交替冲洗材料表面,在35℃下干燥6h;(5)将样品在马弗炉中300℃焙烧,升温速率2℃/分钟,300℃下保温5h,得到具有有序纳米Se点阵的316LSS。
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