[发明专利]一种基于碳点检测ATP的修饰电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201710227539.4 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107024520A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨文胜;郭学飞;刘长霞;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于碳点检测ATP的修饰电极及其制备方法，属电致化学发光生物传感器及其制备技术领域。该修饰电极仅由未经标记的三磷酸腺苷ATP适配体和氮掺杂碳量子点NCQDs构成；制备过程包括将NCQDs悬浊液和ATP适配体溶液依次滴涂到玻碳基础电极上即可，没有使用成膜剂；该修饰电极具有组成结构及制备过程简单、无标记等优势，可用于快速灵敏地检测ATP，并具有检测限低、线性范围宽等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 检测 atp 修饰 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳点检测三磷酸腺苷ATP的修饰电极，其特征在于，该修饰电极以玻碳电极为基础电极，负载有氮掺杂碳量子点NCQDs和ATP适配体；其中，NCQDs负载量为8.6×10‑4~4.3×10‑2 g/cm2，ATP适配体负载量为4.3×10‑4~8.6×10‑1 g/cm2。
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