[发明专利]基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201710220057.6 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106848838B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨超;刘磊;赵丽霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作在所述有源层上的电子阻挡层；制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层；制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层，其中心形成有电流窗口，且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁；制作在p型掺杂GaN层上的透明电极；制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极；制作在透明电极上的p电极，中间形成有凹缺；制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 dbr gan vcsel 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法，包括如下步骤：/n步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、交替堆叠的轻重掺杂层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层，所述衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅；/n步骤2：采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的轻重掺杂层进行横向腐蚀，将其转变为多孔层和非多孔层交替堆叠的底部多孔DBR层；/n步骤3：在p型掺杂GaN层上的四周向下刻蚀，刻蚀深度到达n型掺杂GaN层内，在n型掺杂GaN层的四周形成台面；/n步骤4：在p型掺杂GaN层、台面、有源层和电子阻挡层的侧壁制备电流限制层；/n步骤5：采用光刻、腐蚀技术在电流限制层上开一电流窗口并去掉台面上的部分电流限制层；/n步骤6：在p型掺杂GaN层上的电流窗口处制备一透明电极；/n步骤7：在去掉部分电流限制层的台面上和透明电极的四周分别制备n电极和p电极，该p电极的中间形成有凹缺；/n步骤8：在p电极的凹缺内透明电极的上表面制备介质DBR层，完成器件制备。/n
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