[发明专利]一种共面波导魔T有效

专利信息
申请号: 201710178320.X 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN106910972B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 郭乐田;黄文华;邵浩;巴涛;李佳伟 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01P5/20 分类号: H01P5/20
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 汪海艳
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种共面波导魔T,属于微波器件技术领域,包括从顶部至底部依次同轴连接的输出介质同轴波导、空气同轴波导、圆波导及两个对称的半空气同轴波导;两个对称的半空气同轴波导通过两个金属隔板隔开;还包括与半空气同轴波导底端连接并沿半空气同轴波导H面中心对称的两个输入介质同轴波导、位于两个半空气同轴波导外导体内两个多级阶梯匹配结构与填充高介电常数介质的介质矩形波导。本发明解决了现有的合成器功率容量低、高插损及合成端口间隔离度、尺寸无法满足要求的问题,可以用于雷达发射机的和差网络以及固态放大器的功率合成。
搜索关键词: 一种 波导
【主权项】:
1.一种共面波导魔T,其特征在于:包括从顶部至底部依次同轴连接的输出介质同轴波导(3)、空气同轴波导(9)、圆波导(8)及两个对称的半空气同轴波导(6);两个对称的半空气同轴波导(6)通过两个金属隔板(5)隔开;还包括两个输入介质同轴波导(1)、两个多级阶梯匹配结构(7)与介质矩形波导(4),所述两个输入介质同轴波导(1)与半空气同轴波导(6)底端连接并沿半空气同轴波导(6)H面中心对称;所述两个多级阶梯匹配结构(7)分别与两个输入介质同轴波导(1)内导体共轴连接并分别位于两个半空气同轴波导(6)外导体内;所述介质矩形波导(4)顶端与圆波导(8)底端连接并位于两个半空气同轴波导(6)内导体内部,且介质矩形波导(4)长边平行于金属隔板(5);所述介质矩形波导(4)中填充高介电常数的介质;所述多级阶梯匹配结构(7)包括依次连接的第一匹配金属块(71)、第二匹配金属块(72)、第三匹配金属块(73)及第四匹配金属块(74),第一匹配金属块(71)与输入介质同轴波导(1)内导体连接,所述第二至第四匹配金属块的外周侧紧贴半空气同轴波导(6)外导体内侧;所述第一匹配金属块(71)的长边和宽边尺寸均小于输入介质同轴波导(1)外导体直径尺寸,第二至第四金属块的长度依次变小,宽度相同,两个多级阶梯匹配结构宽度方向平面与金属隔板(5)平行;与输入介质同轴波导内导体连接的四个匹配金属块分别将两路输入同轴TEM模式转换为半空气同轴波导中的准TE10模式;当输入输入介质同轴波导中的两路TEM模式等幅同相时,四个匹配金属块将输入TEM模式转换后的准TE10模式也等幅同相,等幅同相的TE10模式经过圆波导后在空气同轴波导中合成TEM模式,最后在顶部输出介质同轴波导输出端口中输出,介质矩形波导端口被隔离;当输入输入介质同轴波导中的两路的TEM模式等幅反相时,四个匹配金属块将输入TEM模式转换后的准TE10模式也等幅反相,两个半空气同轴波导的准TE10模式相位差为180°,经过圆波导后在介质矩形波导中耦合形成TE10模式输出,顶部的输出介质同轴波导被隔离。
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