[发明专利]TiO2/BiVO4纳米阵列光电极的制备方法在审
| 申请号： | 201710169898.9 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106887336A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘志锋;闫璐;李军伟 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;H01G9/048 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiO2/BiVO4纳米阵列光电极制备方法。首先通过溶胶凝胶法制备TiO2种子层溶胶；采用浸渍提拉法在FTO导电玻璃基底上涂覆TiO2种子层，经过热处理后，将长有TiO2种子层的导电玻璃放置在TiO2生长溶液中经过水热处理，得到TiO2纳米棒阵列；采用连续离子交换法将BiVO4纳米粒子沉积到TiO2纳米棒上，得到TiO2/BiVO4纳米阵列光电极。本发明提供的制备工艺简单易控、设备要求低。制备的TiO2/BiVO4纳米阵列光电极相比单纯的TiO2光电极可见光吸收增强，光电催化性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | tio2 bivo4 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
TiO2/BiVO4纳米阵列光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：通过溶胶凝胶法制备TiO2种子层溶胶；步骤二：采用浸渍提拉法在FTO导电玻璃基底上涂覆TiO2种子层；步骤三：经过热处理后，将长有TiO2种子层的导电玻璃放置在TiO2生长溶液中经过水热处理，得到TiO2纳米棒阵列；步骤四：采用连续离子交换法将BiVO4纳米粒子沉积到TiO2纳米棒上，得到TiO2/BiVO4纳米阵列光电极。
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