[发明专利]稀土钴镍基低温非晶磁制冷材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种稀土钴镍基低温非晶磁制冷材料及其制备方法；材料通式为(Ho_aEr_bTm_c)₆₀Co_xNi_y，其中a为0~1，b为0~1，c为0~1，且a+b+c=1；x为14~28，y为12~26，且x+y=40。本发明方法如下：备料，稀土稍过量；惰性气体条件下熔炼至完全融化，保温后自然冷却，反复熔炼，得成分均匀合金铸锭；表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在惰性气体条件下完全熔化，保温后甩带，得低温非晶磁制冷材料。本发明低温非晶磁制冷材料在其磁转变温度附近具有较大磁熵变，而且具有成本低廉、制备方法简单以及良好的磁、热可逆性质，在低温磁制冷领域具有较好应用前景。

主权项

1.一种稀土钴镍基低温非晶磁制冷材料，其特征在于:所述稀土钴镍基低温非晶磁制冷材料的化学通式为：(HoaErbTmc)60CoxNiy，其中，a为0～1，b为0～1，c为0～1，且a+b+c＝1；x为14～28，y为12～26，且x+y＝40，其中，Ho、Er和Tm中的任何一种稀土金属作为原料的称取量为原料配比的化学计算理论用量的102～104％。