[发明专利]半地下式日光温室反季节花生育种加代繁育方法

摘要

本发明公开了一种半地下式日光温室反季节花生育种加代繁育方法，包括(1)播前半地下式日光温室准备，(2)种子处理，(3)播种，(4)温室花生管理a、苗期管理，b、中期管理，c、后期管理，d、人工补光、增光技术，(5)收获。本发明通过在温室后面墙体安装反光幕，对后墙以南0‑3米宽的地面和空间有显著的补光和增光作用，增加光照强度，可提高温室后部花生的光照强度；并通过采用农用钠灯补光技术手段，能够确保花生生育期所需的光照、温度和湿度，加快了冬春季外部气温不高、光照不足条件下的生育进程，缩短了花生出苗、生长、成熟的时间，实现了通过人工调节花生成熟期的目的。

主权项

半地下式日光温室反季节花生育种加代繁育方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)播前半地下式日光温室准备：a、十月下旬将半地下式日光温室地面实施播种前浅耕，施足底肥，整平耙实，播种前浅耕深度为10‑12cm；施用的底肥为每亩施尿素21Kg、过磷酸钙41Kg、氯化钾11.5Kg、硼酸0.55Kg、硫酸钙43Kg；b、在整平的地面上起垄，龙宽750‑800mm，龙高200‑250mm，喷施除草剂后垄上覆盖地膜，地膜宽度为75‑80mm，厚度为0.001‑0.0012mm；c、浇足底墒水，根据土壤墒情适量顺沟浇水，顺沟浇水的浇水量控制在田间持水量的60％‑70％；(2)种子处理：将种子材料进行日光暴晒7‑10天，用15％的磷酸二氢钾和多菌灵拌种，种子含水量低于12％；(3)播种：播种时间在十一月上旬，50mm地温在15℃以上，选择中早熟繁育材料及花生品种，采用打孔器在地膜上打孔播种，单粒、宽窄行种植，大行距500mm，小行距300mm，株距200mm；(4)温室花生管理：a、苗期管理：花生出苗后要及时清棵蹲苗，把幼苗周围的土扒开使两片子叶露出地面，并把薄膜内苗子露出地面；苗期温度：苗期温度控制在20‑21℃；苗期水分：温室内苗期花生的土壤含水量控制在田间持水量的45‑55％；b、中期管理：从花生开花到荚果形成为温室内花生中期管理阶段，土壤水分控制在土壤持水量的60％‑70％；温度：花生生长中期对温度的要求较高，开花期的温度控制在23‑28℃；c、后期管理：从结荚到成熟为花生后期生长阶段，土壤水分控制在土壤持水量的50‑60％；温度：荚果发育期的温度控制在25‑32℃；d、人工补光、增光技术：从12月中旬至2月中旬，在温室后墙上设置反光幕；在前坡后1/3处，每相间2.5‑‑3米，垂吊1个NYF‑8002农用钠灯，距地面1.5‑‑2米高，每天5‑8点开灯补充光照2‑3个小时，如果遇到雨雪天气或者低温寡照天气，晚上6‑9点进行补充光照2‑3个小时；(5)收获：于3月中下旬收获。