[发明专利]基于COT模式降压变换器的纹波补偿电路有效
申请号: | 201710145645.8 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN106849627B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 明鑫;魏秀凌;高笛;赵佳祎;唐韵扬;张宣;辛杨立;王卓;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/14 | 分类号: | H02M1/14 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 基于COT模式降压变换器的纹波补偿电路,属于电子电路技术领域。采用了一种片内补偿技术,通过对降压变换器开关节点SW处的电位信息进行处理来产生与电感电流相位一致的交流纹波信息,再通过纹波补偿控制电路将其叠加至反馈信号上,从而保证相位滞后的输出电容纹波弱于补偿后的纹波,实现系统的稳定工作;同时避免了不同应用下传统的片外纹波补偿电路的参数需重复设计的问题,增大了电路的适用范围。 | ||
搜索关键词: | 基于 cot 模式 降压 变换器 补偿 电路 | ||
【主权项】:
1.基于COT模式降压变换器的纹波补偿电路,包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第十二NMOS管(MN12)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)、第十一PMOS管(MP11)、第十二PMOS管(MP12)、第十三PMOS管(MP13)、第十四PMOS管(MP14)、第十五PMOS管(MP15)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(Rf1)、第四电阻(Rf2)和一偏置电流(IB),其特征在于,所述第三电阻(Rf1)的一端连接降压变换器的开关节点(SW),另一端接第一电容(C1)的一端、第四电阻(Rf2)的一端和第十四PMOS管(MP14)的栅极,第四电阻(Rf2)的另一端接第二电容(C2)的一端和第十五PMOS管(MP15)的栅极,第一电容(C1)的另一端和第二电容(C2)的另一端接地(VSS);第十四PMOS管(MP14)的漏极接第一NMOS管(MN1)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第七NMOS管(MN7)、第十NMOS管(MN10)和第十二NMOS管(MN12)的栅极以及第四NMOS管(MN4)的漏极,第一NMOS管(MN1)的漏极接第四NMOS管(MN4)的源极,第五NMOS管(MN5)的漏极接第七NMOS管(MN7)的源极,第十NMOS管(MN10)的漏极接第十二NMOS管(MN12)的源极;第十五PMOS管(MP15)的漏极接第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第六NMOS管(MN6)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)和第十一NMOS管(MN11)的栅极以及第三NMOS管(MN3)的漏极,第二NMOS管(MN2)的漏极接第三NMOS管(MN3)的源极,第六NMOS管(MN6)的漏极接第八NMOS管(MN8)的源极,第九NMOS管(MN9)的漏极接第十一NMOS管(MN11)的源极;第一PMOS管(MP1)的栅极和漏极短接并通过偏置电流(IB)后接地(VSS),第一PMOS管(MP1)的栅极接第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的栅极,第二PMOS管(MP2)的漏极接第四PMOS管(MP4)的源极,第三PMOS管(MP3)的漏极接第五PMOS管(MP5)的源极,第四PMOS管(MP4)的漏极接第十四PMOS管(MP14)的源极和第一电阻(R1)的一端,第五PMOS管(MP5)的漏极接第十五PMOS管(MP15)的源极和第一电阻(R1)的另一端;第八PMOS管(MP8)的栅极和漏极短接并连接第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第九PMOS管(MP9)的栅极以及第七NMOS管(MN7)的漏极,第六PMOS管(MP6)的漏极接第八PMOS管(MP8)的源极,第七PMOS管(MP7)的漏极接第九PMOS管(MP9)的源极,第九PMOS管(MP9)的漏极接第八NMOS管(MN8)的漏极和第二电阻(R2)的一端并连接反馈电压(VFB);第十二PMOS管(MP12)的栅极和漏极短接并连接第十PMOS管(MP10)、第十一PMOS管(MP11)和第十三PMOS管(MP13)的栅极以及第十一NMOS管(MN11)的漏极,第十PMOS管(MP10)的漏极接第十二PMOS管(MP12)的源极,第十一PMOS管(MP11)的漏极接第十三PMOS管(MP13)的源极,第十三PMOS管(MP13)的漏极接第十二NMOS管(MN12)的漏极和第二电阻(R2)的另一端并作为输出端;第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第九NMOS管(MN9)和第十NMOS管(MN10)的源极接地(VSS),第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)的源极接电源电压(VDD)。
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
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