[发明专利]一种应用于超级电容器的MnO2/H-TiO2纳米复合阵列电极材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201710110241.5 | 申请日: | 2017-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN106887338B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
| 发明(设计)人: | 刘家琴;徐娟;戴梦嘉;王岩;徐光青;吴玉程 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
| 主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 金凯 |
| 地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种应用于超级电容器的MnO2/H‑TiO2纳米复合阵列电极材料及其制备方法,属于纳米功能材料、能量存储与转换技术领域。采用原位二次阳极氧化法制备作为基体的有序TiO2纳米管阵列,接着对其进行晶化退火处理,然后通过电化学氢化还原获得H‑TiO2纳米管阵列,最后通过在纳米管内外表面沉积高比电容MnO2获得MnO2/H‑TiO2纳米复合阵列电极材料。本发明制备获得的电极材料在电流密度为1mA·mg‑1时比电容可达650.0F·g‑1,电流密度为5mA·mg‑1时循环充放电1000圈后比电容仍然保持90%以上。本发明工艺简单,成本低廉、对环境友好,易于实施,有利于大规模制备与应用。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 超级 电容器 mno2 tio2 纳米 复合 阵列 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种应用于超级电容器的MnO2/H‑TiO2纳米复合阵列电极材料,其特征在于,在有序H‑TiO2纳米管内外表面均匀、弥散负载了大量的纳米片状MnO2,无定型和微晶混合态的MnO2相互交叠形成多孔结构;首先采用原位二次阳极氧化法制备作为基体的有序TiO2纳米管阵列,接着对其进行晶化退火处理,然后通过电化学氢化还原获得H‑TiO2纳米管阵列,最后通过在纳米管内外表面沉积高比电容MnO2获得MnO2/H‑TiO2纳米复合阵列电极材料;制备方法具体步骤如下:①、原位二次阳极氧化法制备有序TiO2纳米管阵列先将一定尺寸的金属Ti片在丙酮和无水乙醇中分别超声清洗20 min,再用去离子水洗净干燥待用;配制NH4F浓度为0.25 mol•L‑1、H2O的体积比为8%的NH4F‑水‑乙二醇体系作为电解液,以清洗后的Ti片作为阳极,石墨片作为阴极,60 V恒压条件下进行第一次阳极氧化反应2 h;调整电源至“预置”状态,反应暂停5 min,同时将电源预输出电压调整至120 V;重新开启电源至“输出”状态,120 V下击穿作用40 s;再次调整电源至“预置”状态,反应暂停10 min,同时再将电源预输出电压调整至60 V;到预定暂停时间后,进行第二次阳极氧化反应6 h;关闭电源,取出表面生长有两层TiO2纳米管阵列膜层的Ti片,直接用流动自来水冲洗即可去除第一次TiO2氧化膜层,在Ti片基底上留下第二次TiO2氧化膜层,然后在乙二醇中超声15 min去除表面絮状物质,再用去离子水洗涤、干燥,获得作为基体的有序TiO2纳米管阵列;②、有序TiO2纳米管阵列的晶化退火处理将有序TiO2纳米管阵列在500 ℃温度条件下保温2 h进行晶化退火处理,升温速率为2 ℃•min‑1;③、电化学氢化还原获得H‑TiO2纳米管阵列配制0.10 mol•L‑1的Na2SO4水溶液作为电解液,以晶化退火后的有序TiO2纳米管阵列为阴极,以石墨片为阳极,在恒压4 V条件下电化学氢化20 min,然后使用去离子水洗涤、干燥,获得电容特性和电化学性能大幅度提高的H‑TiO2纳米管阵列;④、在纳米管内外表面沉积高比电容MnO2获得MnO2/H‑TiO2纳米复合阵列电极材料配制0.001 mol•L‑1的MnSO4水溶液作为电解液,分别以H‑TiO2纳米管阵列、Ag/AgCl电极和铂丝作为工作电极、参比电极和对电极,在电流密度为0.5 mA/cm2条件下电化学沉积4 min,再使用去离子水洗涤、干燥,获得MnO2/H‑TiO2 纳米复合阵列电极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710110241.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





