[发明专利]一种单层或少层二硫化钨纳米片的制备方法在审
申请号: | 201710105545.2 | 申请日: | 2017-02-26 |
公开(公告)号: | CN106745272A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 孙剑辉;骆圣达;董淑英;王倩文;禹崇菲;张方圆;杨鹏艳;张迪 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | C01G41/00 | 分类号: | C01G41/00 |
代理公司: | 新乡市平原专利有限责任公司41107 | 代理人: | 于兆惠 |
地址: | 453007 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种单层或少层二硫化钨纳米片的制备方法,属于可见光催化材料的合成技术领域。本发明的技术方案要点为一种单层或少层二硫化钨纳米片的制备方法,具体步骤为将WS2粉体溶于乙醇与去离子水的混合溶液中,使WS2的浓度为8mg/mL,超声辅助剥离8h,再经过离心30min去除未剥离的沉淀物后得到单层或少层WS2纳米片悬浮液。本发明工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂绿色环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 单层 少层二 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单层或少层二硫化钨纳米片的制备方法,其特征在于具体步骤为:将WS2粉体溶于乙醇与去离子水的混合溶液中,使WS2的浓度为8mg/mL,超声辅助剥离8h,再经过离心30min去除未剥离的沉淀物后得到单层或少层WS2纳米片悬浮液。
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