[发明专利]一种半夏异地脱毒繁殖和种植栽培方法

摘要

本发明属于半夏种植技术领域，公开了一种半夏异地脱毒繁殖和种植栽培方法，包括发酵腐熟玉米秸秆、牛粪、蘑菇渣，加入细沙、炉渣、复合肥拌匀后，棚内安装滴灌设备；选择窄叶形野生种、异地种作为种子；混种深度以10~13cm为宜；播种量3375~3750kg/hm²为宜；半夏种植的最佳施肥组合为每m2施纯N 25g、P2O5 18g、K2O 9g,比例为N∶P2O5∶K2O=2.8∶2∶1。本发明产量达到1000kg/667m2；没有病害杂草，折干率高，节省人工15个/667m2，节省成本750元/667m2；基质料消毒后连续用3a以上，解决了半夏不能连作的难题。

主权项

一种半夏异地脱毒繁殖和种植栽培方法，其特征在于，所述半夏异地脱毒繁殖和种植栽培方法包括以下步骤：步骤一，塑料大棚内，发酵腐熟玉米秸秆、牛粪、蘑菇渣4t，按比例加入细沙、炉渣拌匀后，与地面隔离，平铺于棚内，棚内安装滴灌设备，施复合肥20kg，按照均匀密度播种半夏150kg，播种后加强水肥和温度管理；步骤二，选择窄叶形野生半夏种子和异地半夏种子；步骤三，播种时，混种深度10cm ~13cm；步骤四，种植密度在200株/m²~250株/m²，即195万株/hm²~240万株/hm²，播种量3375/hm²~3750/hm²；步骤五，半夏种植的施肥组合为每m2施纯N 25g、P2O5 18g、K2O 9g，比例为N∶P2O5∶K2O=2.8∶2∶1。