[发明专利]存储器件

摘要

本公开提供一种存储器件。该存储器件包括：第一电极线层，包括在第一方向上在基板上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括在第二方向上在第一电极线层上延伸并彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于第一方向；以及存储单元层，包括位于多个第一电极线和多个第二电极线之间的多个交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件层、中间电极和可变电阻层。可变电阻层的侧表面垂直于基板的顶表面或被倾斜以朝向可变电阻层的上部逐渐更宽。第一存储单元具有侧表面斜坡从而具有朝向其上部逐渐减小的宽度。

主权项

1.一种存储器件，包括：第一电极线层，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括形成在所述第一电极线层上并在第二方向上延伸且彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于所述第一方向；以及存储单元层，包括位于所述多个第一电极线和所述多个第二电极线的交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件、中间电极和可变电阻层，其中所述可变电阻层的侧表面垂直于所述基板的顶表面或倾斜使得所述可变电阻层朝向所述可变电阻层的上部逐渐更宽，并且其中所述多个第一存储单元的每个具有侧表面斜坡使得所述多个第一存储单元的每个的宽度朝向其上部逐渐减小。