[发明专利]一种应用于生物体植入系统的电源电路有效

专利信息
申请号: 201710075284.4 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN106774582B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 张翼;邵珠雷;宿珊珊 申请(专利权)人: 许昌学院
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 461000 河南省*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种应用于生物体植入系统的电源电路,以满足生物体植入电路系统对供电的各项需求。本发明包括整流电路、合并基准源型稳压电路、自启动偏置电路。其中整流电路将无线交流电源的输入交流电变为直流电输出。合并基准源型稳压电路对整流电路输入的直流电进行调节及稳压,并输出给负载。自启动偏置电路在不需要额外启动电路的情况下保持正常工作状态,并为合并基准源型稳压电路的正常工作提供偏置电流。考虑到生物体植入电路系统小体积、低功耗的特点,应用于生物体植入电路系统的电源电路在保证电路稳定且精准工作的前提下,实现了电路结构的优化及多个电路元件的复用,因此具有更小的体积及更低的功耗,更加适用于生物体植入电路系统。
搜索关键词: 一种 应用于 生物体 植入 系统 电源 电路
【主权项】:
1.一种应用于生物体植入系统的电源电路,其特征在于,其包括整流电路、合并基准源型稳压电路、自启动偏置电路;整流电路主要包括副边耦合电感L1、MOS管M8、MOS管M9、肖特基二极管D1、肖特基二极管D2、电容C2;副边耦合电感L1的左端连接MOS管M8的漏极,副边耦合电感L1的右端连接MOS管M9的漏极;MOS管M8的栅极连接MOS管M9的漏极,MOS管M8的源极接地;MOS管M9的栅极连接MOS管M8的漏极,MOS管M9的源极接地;肖特基二极管D1的阳极连接MOS管M8的漏极,肖特基二极管D1的阴极连接肖特基二极管D2的阴极,肖特基二极管D2的阳极连接MOS管M9的漏极;电容C2的上端连接肖特基二极管D2的阴极,电容C2的下端接地;合并基准源型稳压电路主要包括,MOS管M11、MOS管M12、误差放大器E1、晶体三极管Q1、晶体三极管Q2、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1;MOS管M11的漏极连接肖特基二极管D1的阳极,MOS管M11的基底连接肖特基二极管D1的阴极,MOS管M11的源极连接电阻R3的上端,MOS管M11的栅极连接误差放大器E1的输出端;MOS管M12的漏极连接肖特基二极管D2的阳极,MOS管M12的基底连接肖特基二极管D2的阴极,MOS管M12的源极连接MOS管M11的源极,MOS管M12的栅极连接MOS管M11的栅极;误差放大器E1的反相输入端连接晶体三极管Q2的集电极,误差放大器E1的同相输入端连接电阻R4的上端,误差放大器E1的输出端连接MOS管M12的栅极;晶体三极管Q1的基极连接晶体三极管Q1的集电极,晶体三极管Q1的集电极连接电阻R4的下端,晶体三极管Q1的发射极接地;晶体三极管Q2的基极连接晶体三极管Q2的集电极,晶体三极管Q2的集电极连接电阻R5的下端,晶体三极管Q2的发射极接地;电阻R2的上端连接误差放大器E1的同相输入端,电阻R2的下端接地;电阻R3的上端连接电阻R5的上端,电阻R3的下端连接电阻R4的上端;电阻R5的下端连接电阻R6的上端,电阻R6的下端接地;电容C1的上端连接电阻R5的上端,电容C1的下端接地;自启动偏置电路主要包括,MOS管M1至M7、电阻R1;MOS管M1的源极连接肖特基二极管D1的阴极,MOS管M1的漏极连接MOS管M4的漏极,MOS管M1的栅极连接MOS管M2的栅极;MOS管M2的源极连接MOS管M1的源极,MOS管M2的漏极连接MOS管M6的漏极并连接MOS管M2的栅极;MOS管M3的漏极连接MOS管M2的源极,MOS管M3的源极连接MOS管M4的栅极,MOS管M3的栅极连接MOS管M4的漏极;MOS管M4的栅极连接MOS管M5的漏极,MOS管M4的源极接地;MOS管M5的栅极连接MOS管M6的栅极,MOS管M5的源极接地;MOS管M6的漏极连接MOS管M7的栅极,MOS管M6的栅极连接MOS管M4的栅极,MOS管M6的源极连接电阻R1的上端,电阻R1的下端接地;MOS管M7的源极连接MOS管M1的源极,MOS管M7的栅极连接MOS管M2的漏极,MOS管M7的漏极连接误差放大器E1的偏置电流输入端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许昌学院,未经许昌学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710075284.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top