[发明专利]可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 201710071151.X | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN107104182A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 吴哲;安东浩;堀井秀树;朴正熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件包括第一电极层和在第一电极层上的选择器件层。选择器件层包括通过将硼和碳中至少一种掺杂进硫族化物开关材料中所获得的第一硫族化物材料。第二电极层在选择器件层上。可变电阻层在第二电极层上。可变电阻层包括包含至少一种与硫族化物开关材料不同的元素的第二硫族化物材料。第三电极层在可变电阻层上。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：第一电极层；在所述第一电极层上的选择器件层，所述选择器件层包括通过将硼(B)和碳(C)中至少一种掺杂进硫族化物开关材料中所获得的第一硫族化物材料；在所述选择器件层上的第二电极层；在所述第二电极层上的可变电阻层，所述可变电阻层包括包含至少一种与所述硫族化物开关材料不同的元素的第二硫族化物材料；以及在所述可变电阻层上的第三电极层。
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