[发明专利]一种LBO晶体的刻蚀清洗方法有效

专利信息
申请号: 201710070815.0 申请日: 2017-02-09
公开(公告)号: CN106925565B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 王占山;马彬;王可;张莉;程鑫彬;江浩;苏静;崔勇 申请(专利权)人: 同济大学;上海天粹自动化设备有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/08;B24B29/02;C30B33/12
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 翁惠瑜
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种LBO晶体的刻蚀清洗方法,属于激光技术领域,该方法包括抛光、化学刻蚀、清洗干燥、离子束刻蚀、二次抛光和二次化学刻蚀的多次迭代方法。本发明针对LBO晶体的各向异性和材料表面微潮解特性,采用特定的抛光、刻蚀和后处理工艺,并通过不同步骤间的迭代技术有效去除了上一工序引入的新缺陷和工序残留物,最终获得低亚表面损伤层、低表面粗糙度的高质量LBO晶体表面。与现有技术相比,该方法具有工艺针对性强、效果明显等优点,适用于低潮解晶体材料的抗激光损伤性能提升。
搜索关键词: 一种 lbo 晶体 刻蚀 清洗 方法
【主权项】:
1.一种LBO晶体的刻蚀清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:1)利用CeO2抛光颗粒在沥青盘上对LBO晶体进行抛光,在LBO晶体表面粗糙度<0.4nm时,结束抛光;2)在超声‑兆声复合清洗设备的第一超声波‑兆声波槽体中,对LBO晶体刻蚀5‑30分钟,同时加载超声波和兆声波的多频循环振动;3)在超声‑兆声复合清洗设备的第二超声波‑兆声波槽体中,对LBO晶体进行超声‑兆声复合清洗;4)在超声‑兆声复合清洗设备的干燥槽中,对LBO晶体进行干燥处理;5)利用离子束刻蚀技术对LBO晶体进行离子束刻蚀;6)重复步骤3)和步骤4)后,利用SiO2抛光液在聚氨酯抛光垫上对LBO晶体进行二次抛光,LBO晶体表面粗糙度<0.4nm时,结束抛光,所述SiO2抛光液的粒径小于CeO2抛光颗粒的粒径;7)在超声‑兆声复合清洗设备的第一超声波‑兆声波槽体中,对LBO晶体刻蚀3‑5分钟,同时加载超声波和兆声波的多频循环振动;8)重复步骤3)和步骤4),结束清洗。
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