[发明专利]一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法在审
| 申请号： | 201710070733.6 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106939437A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王占山;张锦龙;吴晗;卜笑庆;程鑫彬 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法，所述装置包括离子源、刻蚀工装、角度调整机构和中和器，刻蚀工装包括循环冷却水供给机构，石英底盘表面镀有MgF2薄膜；将石英底盘放置入不锈钢工装内，调整刻蚀工装角度；将氟化钙晶体放置于刻蚀工装中，抽真空，开启循环冷却水供给机构；待真空抽至4×10‑4Pa，开启离子源，充入氪气作为刻蚀气体；刻蚀结束充入氮气，取出氟化钙晶体。本发明针对氟化钙晶体的硬度小、热膨胀系数大和材料表面微潮解特性，通过冷却水控制温度，利用大原子序数的气体，提高离子束能量，最终获得了低表面粗糙度、吸收较低的高质量氟化钙晶体表面。与现有技术相比，本发明具有针对性强、效果明显等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化钙 晶体 离子束 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置，位于镀膜机内，包括离子源、刻蚀工装、角度调整机构和中和器，所述角度调整机构与刻蚀工装连接，所述刻蚀工装固定于离子源和中和器之间的上方，所述刻蚀工装包括石英底盘和不锈钢工装，其特征在于，所述刻蚀工装还包括循环冷却水供给机构，所述石英底盘表面镀有MgF2薄膜。
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