[发明专利]一种Cu2 在审
| 申请号： | 201710064971.6 | 申请日： | 2017-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106591922A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 高云鹏;钟福新;黎燕;江瑶瑶;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Cu |
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| 搜索关键词： | 一种 cu base sub | ||
【主权项】：
1.一种Cu2 O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4 、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵、0.0244~0.0854mol/L N2 H4 ∙H2 O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值为0.0985V~0.3035V的Cu2 O纳米薄膜。
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