[发明专利]基于SRAM的随机地址数据擦除保护电路在审
| 申请号： | 201710052125.2 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106782650A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;高翔;辛睿山;王佳 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C29/20 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及静态随机存取存储器SRAM，为使得芯片受到攻击时能够有效地销毁数据，确保原文件无法恢复，保证存储器芯片数据安全。本发明，基于SRAM的随机地址数据擦除保护电路，包括静态随机存取存储器SRAM、最长线性反馈移位寄存器序列简称m序列、计数器构成，SRAM引脚包括写使能WEN、芯片片选使能CEN、芯片输出使能OEN、地址输入A、数据输入D和数据输出Q，复位之后SRAM开始执行正常功能，外输入clk为销毁电路的时钟，当销毁使能信号有效时，所述计数器开始计数，如果检测到销毁使能信号有效电平持续时间高于若干个时钟周期，表明销毁信号有效。本发明主要应用于静态随机存取存储器的设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 随机 地址 数据 擦除 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种基于SRAM的随机地址数据擦除保护电路，其特征是，包括静态随机存取存储器SRAM、最长线性反馈移位寄存器序列简称m序列、计数器构成，SRAM引脚包括写使能WEN、芯片片选使能CEN、芯片输出使能OEN、地址输入A、数据输入D和数据输出Q，复位之后SRAM开始执行正常功能，外输入clk为销毁电路的时钟，当销毁使能信号有效时，所述计数器开始计数，如果检测到销毁使能信号有效电平持续时间高于若干个时钟周期，表明销毁信号有效，以此来防止毛刺的干扰，此时所述CEN、OEN、WEN变为低电平以保证能对SRAM进行写操作，并且地址信号和数据信号根据m序列产生地址，当所有地址都销毁完成后会输出信号表示销毁完成。
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