[发明专利]可见光响应的三氧化钨-钒酸铋异质结薄膜电极制备方法

摘要

一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法，包括以下步骤：将1～3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液，将0.2～1g NH4VO3溶于100mL的50～200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液，然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面，再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面，将此旋涂过程重复5～20次，将所得薄膜于400～550℃温度一次性热处理1～6小时，自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点，所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性，光电效率高，光电催化降解有机物效果好，能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。

主权项

一种可见光响应的WO3/BiVO4异质结薄膜电极制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：1)将1～3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液，将0.2～1g NH4VO3溶于100mL的50～200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液；2)然后先将所述的硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面，再将所述的过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面，将此旋涂过程重复5～20次之后，3)将所得薄膜在400～550℃温度下一次性热处理1～6小时，自然冷却之后即得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。