[发明专利]印制电路板的无钯沉铜制备工艺在审
申请号: | 201710036102.2 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106676502A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 吴子坚;程静;林灿荣;张卫 | 申请(专利权)人: | 广东成德电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C18/40 | 分类号: | C23C18/40 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人: | 孔凡亮 |
地址: | 528303 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开印制电路板的无钯沉铜制备工艺,属于印刷电路板的制备领域,通过将双氮杂环芳烃吡啶加到CuSO4溶液中,接着用电磁波进行激发,激发中将Cu2+离子从CuETDA络合物中解离,然后导入到双氮杂环芳烃吡啶空穴中组装成Cu3+离子,组装好的Cu3+离子从双氮杂环芳烃吡啶空穴中游离,溶液中余下的Cu2+离子在电波作用下,又源源不断地进入双氮杂环芳烃吡啶中,在里边组装成Cu3+离子。本发明的无钯沉铜工艺少了活化和加速工序,从而减少了制程时间,本发明采用Cu3+为活化剂,代替昂贵的钯,降低了生产成本;采用具有生物活性的双氮杂环芳烃吡啶超分子,可在沉铜过程反复使用,减少倒缸频率,减少废液处理费用。 | ||
搜索关键词: | 印制 电路板 无钯沉 铜制 工艺 | ||
【主权项】:
印制电路板的无钯沉铜制备工艺,其特征在于,包括膨松、除胶、中和、微蚀、整孔和无钯沉铜工序,所述无钯沉铜工序具体包括如下操作:将FR‑4的覆铜板蚀刻后,裁剪成若干小切片,吊入沉铜槽液内,所述沉铜槽液内预先加有HCHO、CuSO4·5H2O、EDTA‑2Na、双氮杂环芳烃吡啶、K[Fe(CN)3]和αα′联吡啶,向沉铜槽液内加NaOH调整PH值到11‑13,然后将HCHO浓度调整到6‑9g/L,CuSO4·5H2O浓度调整到5‑15g/L,EDTA‑2Na浓度调整到28g/L,双氮杂环芳烃吡啶浓度调整到1.2‑1.5g/L,K[Fe(CN)3]浓度调整到100g/L,αα′联吡啶的浓度为10g/L,然后用电磁波对沉铜槽液进行激发,并将沉铜槽液温度设定为25‑30℃,待小切片沉积50‑70min后取出,然后放入PH=10的氨‑铵缓冲液中,加双氧水,待其全部溶解后加热赶走过多的双氧水,加2‑3滴PAN指示剂,用0.05mol/lEDTA滴定至黄绿色。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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