[发明专利]印制电路板的无钯沉铜制备工艺在审

专利信息
申请号: 201710036102.2 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106676502A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 吴子坚;程静;林灿荣;张卫 申请(专利权)人: 广东成德电子科技股份有限公司
主分类号: C23C18/40 分类号: C23C18/40
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司11429 代理人: 孔凡亮
地址: 528303 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开印制电路板的无钯沉铜制备工艺,属于印刷电路板的制备领域,通过将双氮杂环芳烃吡啶加到CuSO4溶液中,接着用电磁波进行激发,激发中将Cu2+离子从CuETDA络合物中解离,然后导入到双氮杂环芳烃吡啶空穴中组装成Cu3+离子,组装好的Cu3+离子从双氮杂环芳烃吡啶空穴中游离,溶液中余下的Cu2+离子在电波作用下,又源源不断地进入双氮杂环芳烃吡啶中,在里边组装成Cu3+离子。本发明的无钯沉铜工艺少了活化和加速工序,从而减少了制程时间,本发明采用Cu3+为活化剂,代替昂贵的钯,降低了生产成本;采用具有生物活性的双氮杂环芳烃吡啶超分子,可在沉铜过程反复使用,减少倒缸频率,减少废液处理费用。
搜索关键词: 印制 电路板 无钯沉 铜制 工艺
【主权项】:
印制电路板的无钯沉铜制备工艺,其特征在于,包括膨松、除胶、中和、微蚀、整孔和无钯沉铜工序,所述无钯沉铜工序具体包括如下操作:将FR‑4的覆铜板蚀刻后,裁剪成若干小切片,吊入沉铜槽液内,所述沉铜槽液内预先加有HCHO、CuSO4·5H2O、EDTA‑2Na、双氮杂环芳烃吡啶、K[Fe(CN)3]和αα′联吡啶,向沉铜槽液内加NaOH调整PH值到11‑13,然后将HCHO浓度调整到6‑9g/L,CuSO4·5H2O浓度调整到5‑15g/L,EDTA‑2Na浓度调整到28g/L,双氮杂环芳烃吡啶浓度调整到1.2‑1.5g/L,K[Fe(CN)3]浓度调整到100g/L,αα′联吡啶的浓度为10g/L,然后用电磁波对沉铜槽液进行激发,并将沉铜槽液温度设定为25‑30℃,待小切片沉积50‑70min后取出,然后放入PH=10的氨‑铵缓冲液中,加双氧水,待其全部溶解后加热赶走过多的双氧水,加2‑3滴PAN指示剂,用0.05mol/lEDTA滴定至黄绿色。
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