[发明专利]感测放大器

摘要

在非易失性存储器中，执行感测操作以读取非易失性(NV)元件的方法包括第一阶段和第二阶段。在所述第一阶段期间，经由感测路径晶体管将所述NV元件耦合到放大器级的第一输入端处的第一电容性元件且经由参考感测路径晶体管将参考单元耦合到所述放大器级的第二输入端处的第二电容性元件。在所述第二阶段期间，经由所述感测路径晶体管将所述NV元件耦合到所述第二电容性元件且经由所述参考感测路径晶体管将所述参考单元耦合到所述第一电容性元件。在所述第一阶段期间，分别将所述第一电容元件和第二电容元件初始化为表示所述NV元件和参考单元的状态的电压。在所述第二阶段期间，将所述两个电压之间的电压差分放大。

主权项

一种非易失性存储器(NVM)电路，其特征在于，包括：非易失性(NV)元件，所述非易失性(NV)元件耦合到强制路径晶体管的第一电流电极和感测路径晶体管的第一电流电极，其中所述强制路径晶体管的第二电流电极耦合到第一强制节点且所述感测路径晶体管的第二电流电极耦合到第一感测节点；参考单元，所述参考单元耦合到参考强制路径晶体管的第一电流电极和参考感测路径晶体管的第一电流电极，其中所述参考强制路径晶体管的第二电流电极耦合到第二强制节点且所述参考感测路径晶体管的第二电流电极耦合到第二感测节点；第一电容性元件，所述第一电容性元件具有第一电极且具有耦合到放大器级的第一输入端的第二电极；以及第二电容性元件，所述第二电容性元件具有第一电极且具有耦合到所述放大器级的第二输入端的第二电极，其中所述NVM电路被配置成：在感测操作的第一阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第一电容性元件的第一电极且将所述第二感测节点耦合到所述第二电容性元件的第一电极；且在所述感测操作的第二阶段期间，将所述第一感测节点耦合到所述第二电容性元件的第一电极且将所述第二感测节点耦合到所述第一电容性元件的第一电极。