[发明专利]一种平板波导CTS阵列天线的加工方法有效

专利信息
申请号: 201710030247.1 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106848601B 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 王德乐;黄季甫 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01Q21/00 分类号: H01Q21/00
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种平板波导CTS阵列天线的加工方法,该方法将待加工的平板波导CTS阵列天线以各级波导“E‑T”分支作为基准分割为N+1个独立层,在加工时,第1个独立层至第N‑2个独立层的外围设置有围边,第N+1个独立层的外围设置有围边且其围边上设置有尺寸与第1个独立层至第N‑2个独立层的围边匹配的卡槽,加工连接接头将第N‑1个独立层和第N个独立层安装在第N+1个独立层上;最后将第1个独立层至第N‑2个独立层按序依次安装:第1个独立层至第N‑2个独立层的围边对准第N+1个独立层的围边的卡槽并卡入其内;优点是可以减少信号传输时的漏磁现象,能被应用于微波高频段的平板波导CTS阵列天线的加工。
搜索关键词: 一种 平板 波导 cts 阵列 天线 加工 方法
【主权项】:
1.一种平板波导CTS阵列天线的加工方法,其特征在于包括以下步骤:①将待加工的平板波导CTS阵列天线按照以下规则分为N+1个独立层,N为波导“E‑T”分支的级数:位于第N级波导“E‑T”分支以上且与第N级波导“E‑T”分支的上端面相交的部分作为第1个独立层,位于第N‑1级波导“E‑T”分支以上且与第N‑1级波导“E‑T”分支的上端面相交的部分作为第2个独立层,位于第N‑2级波导“E‑T”分支以上且与第N‑2级波导“E‑T”分支的上端面相交的部分作为第3个独立层,以此类推,位于第1级波导“E‑T”分支以上且与第1级波导“E‑T”分支的上端面相交的部分作为第N个独立层,剩余部分为第N+1个独立层,由于波导“E‑T”分支为沟槽形式,每个独立层分别由多个依次排列且互不连接的独立块组成;②采用机械加工工艺分别加工步骤①中N+1个独立层,在加工时,第1个独立层至第N‑2个独立层中,每个独立层的外围设置有围边且该独立层中多个依次排列且互不连接的部件与其围边一体成型连接,第N+1个独立层的外围设置有围边且其围边上设置有尺寸与第1个独立层至第N‑2个独立层的围边匹配的卡槽;③采用机械加工工艺加工第N个独立层和第N‑1个独立层与第N+1个独立层连接的连接接头;④使用连接接头将第N‑1个独立层和第N个独立层安装在第N+1个独立层上;⑤将第1个独立层至第N‑2个独立层按序依次安装:第1个独立层至第N‑2个独立层的围边对准第N+1个独立层的围边的卡槽并卡入其内,得到平板波导CTS阵列天线。
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