[发明专利]一种正电子发射断层扫描成像系统双层晶体探测器在审

专利信息
申请号: 201710030043.8 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106725574A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 孙红岩 申请(专利权)人: 孙红岩
主分类号: A61B6/03 分类号: A61B6/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213000 江苏省常州市西太湖*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种正电子发射断层扫描成像系统双层晶体探测器,包括双层LYSO闪烁晶体阵列和SiPM底座,双层LYSO闪烁晶体阵列由下层晶体阵列和上层晶体阵列组成,双层LYSO闪烁晶体阵列的底部设置有两个SiPM底座,上层晶体阵列和下层晶体阵列错开半个晶体单元距离,且下层晶体阵列设置有M×N个晶体单元,上层晶体阵列设置有(M‑1)×(N‑1)个晶体单元,SiPM底座的底部设置有若干连接轴,SiPM底座通过连接轴安装于探测器主体上,探测器主体的一端安装有关节轴承,若干探测器主体通过关节轴承依次首尾连接成一圆环。该装置能够提供光子在闪烁晶体内部相互作用的深度信息,减少了成像过程中的平行误差,提高了采样的密集度,从而实现了更高的空间分辨率。
搜索关键词: 一种 正电子 发射 断层 扫描 成像 系统 双层 晶体 探测器
【主权项】:
一种正电子发射断层扫描成像系统双层晶体探测器,包括双层LYSO闪烁晶体阵列(1)和SiPM底座(2),其特征在于,所述双层LYSO闪烁晶体阵列(1)由下层晶体阵列(3)和上层晶体阵列(4)组成,所述双层LYSO闪烁晶体阵列(1)的底部设置有两个所述SiPM底座(2),所述上层晶体阵列(4)和所述下层晶体阵列(3)错开半个晶体单元距离,且所述下层晶体阵列(3)设置有若干个所述晶体单元,所述上层晶体阵列(4)设置有若干个所述晶体单元,所述SiPM底座(2)的底部设置有若干连接轴(8),所述SiPM底座(2)通过所述连接轴(8)安装于探测器主体(5)上,所述探测器主体(5)的一端安装有关节轴承(6),若干所述探测器主体(5)通过所述关节轴承(6)依次首尾连接成一圆环。
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