[发明专利]一种低温下对氨气敏感的硫化锡纳米花薄膜

摘要

本发明提供了一种可用于低温检测NH3的硫化锡纳米花薄膜的制备方法，属于气敏传感器技术领域。我们将五水氯化锡与硫代乙酰胺混合，通过水热法制备了硫化锡纳米花粉末，再通过悬涂法制备成薄膜器件，然后进行气敏测试。在所测温度范围内(室温‑250℃)，该样品在150℃下对100ppm NH3的响应值高达11.8，响应/恢复时间分别为20/478秒。除此之外，该硫化锡传感器膜还可检测低浓度的NH3(0.5‑100ppm)，且对NH3具有较高的选择性。此传感器薄膜制备方法简单，原料成本低，材料膜性能优异，可重复性好，具有很好的应用价值和前景。

主权项

一种低温下对氨气敏感的硫化锡纳米花薄膜及其制备方法，其制备步骤包括：(1)将一定量的五水氯化锡和硫代乙酰胺依次溶于适量的异丙醇，持续搅拌30分钟；(2)将上述溶液倒入不锈钢反应釜中进行水热反应，水热条件为180℃，24小时；(3)将水热反应的产物在室温下冷却，然后分别用去离子水和无水乙醇进行多次离心洗涤，将离心后的样品在真空干燥箱中干燥，得到硫化锡纳米花粉末；(4)取适量上述粉末溶于乙醇溶剂并进行15分钟的超声，接着用悬涂仪把溶液悬涂到印有铂电极的陶瓷片上，等膜完全干燥后，将其置于马弗炉中2小时，炉内温度设置为100℃，最后得到测试基片。