[发明专利]一种高线性度高输出功率的功率放大器在审
| 申请号： | 201710028422.3 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108322193A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 马建国;郭思成;傅海鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学（青岛）海洋工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266200 山东省青岛市即*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高线性度高输出功率的功率放大器，采用堆叠式功率放大器，同时使用由PMOS管构成的电容补偿电路对NMOS管的非线性进行补偿，在设计过程中需要对MOS管的尺寸以及电阻值进行多次调整以达到期望的性能；利用堆叠结构实现高功率的功率放大器，在面积上和输出功率上都具有优势，本发明在堆叠结构中每个NMOS管的栅端都增加了一个PMOS管，以补偿NMOS管栅源电容对线性度的影响；该功率放大器同时具有高线性度以及高输出功率的特性，此电路结构无需复杂的辅助电路、电路结构简单易实现、芯片面积小、成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 高输出功率 高线性度 电路结构 堆叠结构 电容补偿电路 辅助电路 设计过程 输出功率 栅源电容 堆叠式 高功率 线性度 电阻 栅端 芯片 期望 | ||
【主权项】：
1.一种高线性度高输出功率的功率放大器，其特征在于：利用NMOS管的串联排列形式，使用NMOS管的堆叠结构，将它们的源极与漏极顺次连接，从而将整体晶体管堆叠结构的最优负载阻抗升高；通过选择堆叠晶体管的尺寸和堆叠数目，使整个堆叠结构的最优负载阻抗接近50欧姆，甚至直接实现50欧姆的最优负载阻抗；使用串联的电阻作为分压电路，通过调整几个串联电阻的阻值比来调整每个NMOS管的栅极直流偏置电压；在NMOS管堆叠结构中，NMOS管栅极电容和栅极外置电容用于调整堆叠结构的漏极电压相位，保证堆叠结构晶体管的漏极电压的相位一致，以实现高功率输出。
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