[发明专利]一种多级放大器有效
| 申请号： | 201710011816.8 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106788295B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多级放大器，包括顺序级联的差分输入级、至少一个中间放大级和输出级；差分输入级包括：源极和栅极均耦接的第一和第二MOS管，二者栅极接收第一电压；源极和栅极均耦接的第三和第四MOS管，二者栅极接收第二电压，第三和第二MOS管的源极耦接并接收第一偏置电流；第一电流镜电路，其公共栅极耦接第三MOS管的漏极，其第一漏极耦接第一MOS管的漏极；第二电流镜电路，其公共栅极耦接第二MOS管的漏极，其第一漏极耦接第四MOS管的漏极；第一偏置电路，适于为第一和第二电流镜电路提供偏置电流；第一负载电路，适于为差分输入级提供负载。本发明方案多级放大器具有较高的增益和单位增益带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种多级放大器，其特征在于，包括顺序级联的差分输入级、至少一个中间放大级和输出级；其中，所述差分输入级包括：源极耦接在一起的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极耦接所述第二MOS管的栅极并接收第一电压；源极耦接在一起的第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管的栅极耦接所述第四MOS管的栅极并接收第二电压，所述第三MOS管的源极耦接所述第二MOS管的源极并接收第一偏置电流；第一电流镜电路，其公共栅极耦接所述第三MOS管的漏极，其第一漏极耦接所述第一MOS管的漏极，其第二漏极耦接其公共栅极；第二电流镜电路，其公共栅极耦接所述第二MOS管的漏极，其公共源极耦接所述第一电流镜电路的公共源极，其第一漏极耦接所述第四MOS管的漏极，其第二漏极耦接其公共栅极；第一偏置电路，适于为所述第一电流镜电路和第二电流镜电路提供偏置电流；第一负载电路，其第一输入端耦接所述第四MOS管的漏极，其第二输入端耦接所述第一MOS管的漏极，其输出端耦接所述差分输入级的输出端，所述第一负载电路适于为所述差分输入级提供负载。
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