[发明专利]一种采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路在审
| 申请号： | 201710006312.7 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106787659A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 朱春良 | 申请（专利权）人： | 科蒂斯技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，包括P‑MOSFET驱动管Q10，直流电源Vin通过电阻R53连接驱动管Q10的s极为高端驱动输出提供直流电源，Q10的d极为负载输出端，s极与g极之间连接有电阻R62，电阻R53两端分别连接了三极管Q11的b、e极，三极管Q11的c极连接Q10的g极；所述Q10的负载输出端还通过依次串联的电阻R32、电容C20接地，R32与C20之间的连接点连接到单片机，单片机通过开关三极管Q8连接Q10的g极。本发明所提供的采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，可以有效地实现高端驱动的输出短路保护，可靠性高、功耗低、电路简洁，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 mos 作为 高端 驱动 输出 短路 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种采用P‑MOS作为高端驱动输出的短路保护电路，其特征在于：包括P‑MOSFET驱动管Q10，直流电源Vin通过电阻R53连接驱动管Q10的s极为高端驱动输出提供直流电源，Q10的d极为负载输出端，s极与g极之间连接有电阻R62，电阻R53两端分别连接了三极管Q11的b、e极，三极管Q11的c极连接Q10的g极；所述Q10的负载输出端还通过依次串联的电阻R32、电容C20接地，R32与C20之间的连接点连接到单片机，单片机通过开关三极管Q8连接Q10的g极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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