[发明专利]一种检测单晶叶片小角度晶界取向差的方法有效

专利信息
申请号: 201710004551.9 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN106896105B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 喻健;韩梅;岳晓岱;李嘉荣 申请(专利权)人: 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 李建英
地址: 100095*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于单晶高温合金涡轮叶片制造技术,涉及一种检测单晶叶片小角度晶界取向差的方法,该方法尤其适用于15°以内的单晶叶片小角度晶界取向差检测,也可适用于15°以上大角度晶界取向差的检测。第一步:采用可显晶腐蚀剂对单晶叶片进行腐蚀;第二步:采用目视或放大镜观察沿着单晶叶片生长方向单晶叶片侧面的小角度晶界两侧一次枝晶杆;第三步:采用目视或放大镜观察垂直于单晶叶片生长方向单晶叶片横截面的小角度晶界两侧二次枝晶杆;第四步:采用公式或者计算单晶叶片小角度晶界的取向差。本发明方法根据单晶叶片的实际情况,能准确检测单晶叶片小角度晶界取向差的实际大小。该方法通过测量一次枝晶杆夹角和二次枝晶杆夹角,实际操作方便。
搜索关键词: 一种 检测 叶片 角度 取向 方法
【主权项】:
1.一种检测单晶叶片小角度晶界取向差的方法,其特征在于:第一步:采用可显晶腐蚀剂对单晶叶片进行腐蚀;第二步:采用目视或放大镜观察沿着单晶叶片生长方向单晶叶片侧面的小角度晶界两侧一次枝晶杆,采用量角器测量单晶叶片侧面的小角度晶界两侧一次枝晶杆夹角第三步:采用目视或放大镜观察垂直于单晶叶片生长方向单晶叶片横截面的小角度晶界两侧二次枝晶杆,采用量角器测量单晶叶片横截面的小角度晶界两侧二次枝晶杆最小夹角τ′;第四步:采用公式或者计算单晶叶片小角度晶界的取向差。
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