[发明专利]用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置有效
申请号: | 201680079709.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108472497B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 白宗薰;M·C·亚伯拉罕;D·R·埃文斯;J·M·加扎 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | A61N5/06 | 分类号: | A61N5/06;G01J3/10;H05G2/00;B08B6/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法,包括:在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基,并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下,净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。 | ||
搜索关键词: | 用于 euv 容器 收集 进行 材料 碎片 清洁 系统 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种EUV光源,包括:EUV容器,包括耦合到净化气体源的EUV容器净化气体入口,所述净化气体源能够将一定量的净化气体分配到所述EUV容器中;设置在所述EUV容器中的EUV收集器,所述EUV收集器包括反射表面;靶材料源,能够将一定量的靶材料分配到所述EUV容器中,所述一定量的靶材料的第一部分设置在所述EUV收集器的所述反射表面的至少一部分上作为第一靶材料碎片沉积物;设置在所述EUV容器内的第一氢自由基源,所述第一氢自由基源包括:靠近所述EUV收集器的所述反射表面设置的第一氢自由基源出口;耦合到氢源的第一氢源入口;耦合到第一信号源的第一氢源电极;以及耦合到第二信号源的第二氢源电极,所述第一氢自由基源能够产生第一量的氢自由基并且从所述第一氢自由基源出口分配所述第一量的氢自由基,所述第一量的氢自由基能够与所述第一靶材料碎片沉积物结合以形成第一量的挥发性化合物,所述第一量的所述挥发性化合物包含所述第一靶材料碎片沉积物的至少一部分;以及EUV容器净化出口,能够将所述第一量的所述挥发性化合物从所述EUV容器中排出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680079709.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于经由光纤光学地刺激大脑的设备
- 下一篇:用于皮肤病治疗装置的保护套