[发明专利]量测方法、量测设备和器件制造方法有效
| 申请号： | 201680074852.2 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108431692B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 理查德·金塔尼利亚;A·J·登鲍埃夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01N21/956 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2)利用包括EUV辐射或较长波长辐射的第二辐射照射所述结构且检测第二光谱。处理器(MPU)将所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱一起使用来确定所述结构的属性(CD/OV)。所述光谱可按照各种方式组合。例如，所检测到的第一光谱可用来控制用以捕捉所述第二光谱的检测和/或照射的一个或更多个参数，反之亦然。第一光谱可用于区分结构中的不同层(T1，T2)的属性。第一和第二辐射源(SRC1，SRC2)可共用一种公共驱动激光器(LAS)。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 设备 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量通过光刻过程制造的结构的属性的混合量测设备，所述混合量测设备包括：(a)第一照射系统，用于利用第一辐射照射所述结构，所述第一辐射包括在1纳米至100纳米的范围内的一个或更多个波长；(b)第一检测系统，用于检测包括由所述周期性结构反射的所述第一辐射的至少部分的第一光谱；(c)第二照射系统，用于利用第二辐射照射所述结构，所述第二辐射包括在1纳米至100纳米的范围内或在100纳米至1000纳米的范围内的一个或更多个波长；(d)第二检测系统，用于检测包括由所述周期性结构反射的所述第二辐射的至少部分的第二光谱；(e)处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定所述结构的属性。
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