[发明专利]多模压控振荡器在审
| 申请号： | 201680073622.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108370234A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 谭军 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的特征和优点包括多模压控振荡器(VCO)。在一个实施例中，一种电路包括VCO、第一晶体管和第二晶体管以及第一电容性衰减器和第二电容性衰减器。第一晶体管和第二晶体管通过衰减器交叉耦合。在第一模式中，第一晶体管和第二晶体管关断，并且电容性衰减器衰减在第一晶体管的控制输入和第二晶体管的控制输入处的VCO的输出端子上的信号。在另一模式中，第一晶体管和第二晶体管导通，并且电容性衰减被降低或关闭，使得第一晶体管和第二晶体管的控制输入接收VCO的输出上的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电容性衰减器 振荡器 衰减 晶体管导通 控制输入处 交叉耦合 输出端子 输入接收 电容性 衰减器 关断 电路 输出 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：压控振荡器，包括一个或多个电感器、一个或多个电容器以及至少两个交叉耦合的晶体管；第一晶体管，与所述交叉耦合的晶体管具有相反的器件类型；第二晶体管，与所述交叉耦合的晶体管具有相反的器件类型；以及第一电容性衰减器电路和第二电容性衰减器电路，其中所述第一晶体管通过第一电容性衰减器电路交叉耦合到所述第二晶体管，并且所述第二晶体管通过所述第二电容性衰减器电路交叉耦合到所述第一晶体管。
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