[发明专利]变形传感器在审
| 申请号： | 201680071436.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108369085A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 安积欣志;堀内哲也;朱子才;高濑三男 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01D5/14 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种变形传感器，包括在柔性电极间夹置有离子导电性聚合物层的结构，其中通过变形在离子导电性聚合物层中生成不均匀的离子分布，籍此在电极间生成电位差。 | ||
| 搜索关键词： | 离子导电性聚合物 变形传感器 电位差 离子分布 柔性电极 不均匀 电极 夹置 变形 | ||
【主权项】：
1.一种变形传感器，包括在软电极间夹置有离子导电性聚合物层的结构，其中通过变形在所述离子导电性聚合物层中生成不均匀的离子分布，籍此在所述电极间生成电位差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所;三井化学东赛璐株式会社，未经国立研究开发法人产业技术综合研究所;三井化学东赛璐株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680071436.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电位器档位确定方法及装置
- 下一篇：用于服务物体的方法和系统
