[发明专利]局部线圈设备、磁共振成像(MRI)设备及局部线圈设备的控制方法在审
| 申请号： | 201680071354.2 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108366754A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 韦吉斯·乔治 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055;G01R33/38;G01R33/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 苏银虹;曾世骁 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种局部线圈设备、磁共振成像设备及局部线圈设备的控制方法。局部线圈设备包括射频(RF)接收线圈，被配置为从对象接收RF信号，温度传感器，被配置为感测局部线圈设备的温度，和电抗控制器，被配置为响应于局部线圈设备的温度大于或等于参考值，控制RF接收线圈的电抗。 | ||
| 搜索关键词： | 局部线圈 配置 磁共振成像设备 磁共振成像 电抗控制器 温度传感器 对象接收 接收线圈 电抗 感测 射频 参考 响应 | ||
【主权项】：
1.一种局部线圈设备，包括：射频RF接收线圈；温度传感器，被配置为感测局部线圈设备的温度；以及电抗控制器，被配置为在局部线圈设备的温度大于或等于参考值的情况下，控制RF接收线圈的电抗。
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