[发明专利]状态机控制的MOS线性电阻器有效
| 申请号： | 201680058730.4 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN108141220B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 诺姆·埃谢尔;阿米特·索科洛夫;戈兰·蔡特尼 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12;G11C27/02;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种采样保持电路，其包括：采样电容器；第一晶体管；第一开关，其位于所述第一晶体管的栅电极和源电极之间；第一电流源，其连接至所述第一晶体管的所述源电极；以及电阻元件和第二开关，所述电阻元件和所述第二开关并联连接在所述第一晶体管的漏电极和预定电压之间。所述电阻元件可以包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二晶体管的栅电极处的栅控信号被偏置以在线性区域中操作；或者所述电阻元件可以包括并联连接的多个晶体管组，各个晶体管组包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二晶体管的栅电极处的栅控信号被偏置以在线性区域中操作。栅控信号可以来自包括状态机的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 状态机 控制 mos 线性 电阻器 | ||
【主权项】：
一种采样保持电路，其包括：采样电容器；第一晶体管；第一开关，其设置在所述第一晶体管的栅极和源极之间；第一电流源，其连接至所述第一晶体管的所述源极；以及电阻元件和第二开关，所述电阻元件和所述第二开关并联连接并设置在所述第一晶体管的漏极和预定电压之间，其中，所述电阻元件包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二晶体管的栅极处的栅控信号被偏置以在线性区域中操作。
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