[发明专利]磁性阵列中的可编程磁体取向在审
| 申请号： | 201680054970.7 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108028128A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | J·H·洪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F38/14 | 分类号： | H01F38/14;H01F13/00;H02K35/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了用于调节阵列中的不同磁体集合的磁性取向的方法和装置。在一个方面，阵列中的第一磁体集合可以被加热。具有第一取向的磁场可以被施加到磁体的阵列，并且将第一磁体集合的磁性取向调节到磁场的第一取向。阵列中的第二磁体集合可以被加热并且磁场可以具有第二取向。第二磁体集合的磁性取向可以被调节到第二取向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 阵列 中的 可编程 磁体 取向 | ||
【主权项】：
1.一种用于调节阵列中的不同磁体集合的磁性取向的方法，所述阵列包括第一磁体集合和第二磁体集合，所述方法包括：加热所述阵列中的所述第一磁体集合；向磁体的所述阵列施加具有第一取向的第一磁场；基于所述第一磁体集合的所述加热和施加的具有所述第一取向的所述第一磁场，调节所述阵列中的所述第一磁体集合的所述磁性取向以对应于所述第一磁场的所述第一取向；加热所述阵列中的所述第二磁体集合；向磁体的所述阵列施加具有第二取向的第二磁场；以及基于所述阵列中的所述第二磁体集合的所述加热和施加的具有所述第二取向的所述第二磁场，调节所述阵列中的所述第二磁体集合的所述磁性取向以对应于所述第二磁场的所述第二取向。
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