[发明专利]用于在LPP EUV光源中控制源激光器激发的系统和方法有效
申请号: | 201680047424.0 | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN108348763B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | D·里格斯;R·拉法克 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00;A61N5/06 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于改进激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)生成系统中的源激光器的定时的方法和系统。由于等离子体室内的力,微滴的速度可以随着M靠近照射部位而减慢。由于微滴减慢,源激光器相对于减慢的微滴过早地激发,导致只有微滴的前沿部分被照射。由微滴生成的EUV能量的量与微滴的经减慢的速度成比例。为了补偿,基于所生成的EUV能量针对下一微滴延迟源激光器的激发。由于针对下一微滴延迟源激光器的激发,所以下一微滴更可能处于更加完全地被照射的位置,导致从下一微滴生成更多的EUV能量。 | ||
搜索关键词: | 微滴 源激光器 减慢 激发 延迟 照射 激光产生等离子体 等离子体 生成系统 照射部位 激光器 控制源 地被 室内 改进 | ||
【主权项】:
1.一种用于修改对极紫外(EUV)激光产生等离子体(LPP)光源中的源激光器进行激发的定时的方法,所述极紫外激光产生等离子体光源具有释放微滴序列的微滴发生器,所述源激光器在照射部位处激发脉冲,所述方法包括:/n获得由所述脉冲中的撞击所述微滴序列的第一微滴的第一脉冲生成的EUV能量的第一量;/n根据检测到的EUV能量的第一量,确定所述微滴序列的第二微滴到达所述照射部位的预期延迟;以及/n基于所述第二微滴的所述预期延迟,针对所述脉冲中的第二脉冲修改激发所述源激光器的定时,以便当所述第二微滴到达所述照射部位时照射所述第二微滴,/n其中确定所述预期延迟包括:/n获得由所述脉冲中的紧接在所述第一脉冲之前的第三脉冲生成的EUV能量的第二量,所述第三脉冲撞击所述微滴序列中的紧接在所述第一微滴之前的第三微滴;/n获得由所述脉冲中的紧接在所述第三脉冲之前的第四脉冲生成的EUV能量的第三量,所述第四脉冲撞击所述微滴序列中的紧接在所述第三微滴之前的第四微滴;以及/n将第一缩放因子应用于EUV能量的所述第一量,以确定第一延迟,将第二缩放因子应用于EUV能量的所述第二量,以确定第二延迟,以及将第三缩放因子应用于EUV能量的所述第三量,以确定第三延迟;以及/n将所述第一延迟、所述第二延迟和所述第三延迟进行组合,以产生所述预期延迟。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680047424.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:牙科套件
- 下一篇:用于痤疮的选择性治疗的激光系统