[发明专利]自举D类宽带RF功率放大器有效
| 申请号： | 201680038029.6 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107735944B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | Q·迪达克 | 申请（专利权）人： | 艾尔丹通信设备公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/189;H03F3/217;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高功率高频率射频功率放大器包括输出级和单相驱动器。输出级被设置为D类放大器配置，并且包括：第一耗尽型场效应晶体管(FET)、第二耗尽型FET、以及将输出级的输出联接到第二FET的栅极的自举路径。第一耗尽型FET和第二耗尽型FET在单相驱动器的引导下被切换为异相且在完全导通(ON)与完全截止(OFF)状态之间切换。单相驱动器直接控制第一耗尽型FET的导通/截止状态，并且提供放电路径，通过该放电路径，输出级中的第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以放电，以截止第二耗尽型FET。自举路径提供电流路径，通过该电流路径，第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以充电，以导通第二耗尽型FET。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 rf 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种功率放大器，该功率放大器包括：功率放大器输出级，该功率放大器输出级包括：第一耗尽型场效应晶体管FET，该第一耗尽型场效应晶体管FET具有栅极、源极以及漏极；和第二耗尽型场效应晶体管FET，该第二耗尽型场效应晶体管FET具有栅极、漏极以及源极，该源极连接到所述第一耗尽型场效应晶体管FET的漏极，所述源漏连接被配置为充当功率放大器输出；以及单相驱动器，该单相驱动器被配置为驱动所述功率放大器输出级。
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