[发明专利]超低功率和低噪声放大器在审
| 申请号： | 201680028132.2 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107636957A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 厄兹·加拜;哈伊姆·普里莫 | 申请（专利权）人： | 怀斯迪斯匹有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/16 | 分类号： | H03F3/16;H03F3/04;H03F3/68;H03G3/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 放大器包括FET晶体管；偏置电阻器，其具有与所述FET晶体管的栅极端子连接的第一端子；负载电阻器，其具有与所述FET晶体管的D端子连接的第一端子；DC‑DC降压转换器，其中，所述DC‑DC降压转换器的输入端子连接到电源电压，并且所述DC‑DC降压转换器的输出端子连接到所述负载电阻器的第二端子；双引脚电流‑电压转换器，其中，第一引脚连接到所述FET晶体管的S端子，且第二引脚接地；以及比较器，其具有与正电源电压连接的第一引脚、与负电源电压连接的第二引脚、与所述偏置电阻器的第二端子连接的第三(输出)引脚、与参考电压连接的第四引脚以及与所述电流‑电压转换器的所述第一引脚连接的第五引脚。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种放大器，其包括：(a)FET晶体管；(b)偏置电阻器，其具有与所述FET晶体管的栅极端子连接的第一端子；(c)负载电阻器，其具有与所述FET晶体管的D端子连接的第一端子；(d)DC‑DC降压转换器，其中，所述DC‑DC降压转换器的输入端子连接到电源电压，并且所述DC‑DC降压转换器的输出端子连接到所述负载电阻器的第二端子；(e)双引脚电流‑电压转换器，其中，第一引脚连接到所述FET晶体管的S端子，且第二引脚接地；以及(f)比较器，其具有与正电源电压连接的第一引脚、与负电源电压连接的第二引脚、作为与所述偏置电阻器的第二端子连接的输出引脚的第三引脚、与参考电压连接的第四引脚以及与所述电流‑电压转换器的所述第一引脚连接的第五引脚。
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