[发明专利]量测方法、量测设备和器件制造方法有效
| 申请号： | 201680017204.3 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107430352B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | R·奎因塔尼拉;S·达尼卢克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 光刻制造系统产生具有小于10nm的特征尺寸和周期性方向(D)的周期性结构。具有在EUV光谱中的一定范围的波长(1nm至100nm或1nm至150nm)的辐射的射束(1904)被聚焦成大约(5)μm直径的光斑(S)。反射辐射(1908)被分解成被捕获(1913)以获得目标光谱信号(ST)的光谱(1910)。参考光谱被检测(1914)以获得参考光谱信号(SR)。可选地，检测器(1950)被提供以使用通过目标的光栅结构以一阶衍射的辐射来获得进一步的光谱信号(SF)。入射角度(α)和方位角 | ||
| 搜索关键词： | 方法 设备 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种测量通过光刻工艺制造的结构的性质的方法，所述方法包括：/n(a)沿着辐照方向用辐射的射束辐照周期性结构，所述周期性结构已通过所述光刻工艺形成在衬底上并且具有在至少第一方向上的周期性，所述辐射包括在1nm至100nm的范围内的多个波长，所述辐照方向从与所述衬底平行的方向偏离大于2°，其中所述辐射的射束具有小于10μm的光斑尺寸；/n(b)检测由所述周期性结构反射的辐射的光谱，和/n(c)处理表示所检测到的光谱的信号以确定所述周期性结构的性质。/n
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