[发明专利]用于电阻式随机存取存储器阵列的写入驱动器电路有效
申请号: | 201680014109.8 | 申请日: | 2016-03-01 |
公开(公告)号: | CN107408407B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 金俊培;金晟烈;金泰芸 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在具体实施方式中公开的方面包括用于电阻式随机存取存储器(RAM)阵列的写入驱动器电路。在一个方面中,提供写入驱动器电路以支持向存储器系统中的电阻式RAM阵列中写入数据。写入驱动器电路被耦合到选择器电路,该选择器电路被配置为选择电阻式RAM阵列中的一个或者多个存储器位单元用于写入操作。隔离电路被提供在写入驱动器电路中以将电流源耦合到选择器电路以在写入操作期间提供写入电压并且在选择器电路没有参与写入操作时从选择器电路隔离电流源。通过在选择器电路待机时从电流源隔离选择器电路,可以减少选择器电路中的漏电流、因此减少存储器系统中的待机功率消耗。 | ||
搜索关键词: | 用于 电阻 随机存取存储器 阵列 写入 驱动器 电路 | ||
【主权项】:
一种用于向电阻式随机存取存储器(RAM)阵列写入数据的写入驱动器电路,包括:隔离电路,被耦合到:电流源;以及选择器电路,被配置为选择电阻式RAM阵列中的一个或者多个电阻式RAM位单元用于写入操作;其中所述隔离电路被配置为:接收控制信号;如果所述控制信号指示用于所述写入操作的写入状态,则将所述电流源耦合到所述选择器电路,以向由所述选择器电路选择的所述一个或者多个电阻式RAM位单元提供写入电压;以及如果所述控制信号不指示所述写入状态,则从所述选择器电路去耦合所述电流源。
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