[发明专利]用于放大器的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201680011537.5 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN107258054B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: A·A·M·尤塞夫;P·S·S·古德姆;E·R·沃利;潘东玲;L-C·常 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/52 分类号: H03F1/52;H03F3/193
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张曦
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中,该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中,辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。
搜索关键词: 用于 放大器 装置 方法
【主权项】:
一种装置,包括:PMOS晶体管,被配置为放大输入信号并且生成放大器的输出信号;退化电感器,被配置为减小所述放大器的增益;以及第一保护二极管,被配置为限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差。
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