[发明专利]并入包含碳的金属线的结构及形成包含碳的金属线的方法有效
| 申请号： | 201680007436.0 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN107210362B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·戈蒂;丹尼尔·F·吉利;因诺琴佐·托尔托雷利;恩里科·瓦雷西 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示的技术大体上涉及集成电路，且更特定来说涉及并入例如用于存储器阵列的导电线的包含钨及碳的金属线的结构及形成例如用于存储器阵列的导电线的包含钨及碳的金属线的方法。在一个方面中，存储器装置包括在第一方向上延伸的下导电线及在第二方向上延伸且与所述下导电线交叉的上导电线，其中所述上及下导电线中的至少一者包括钨及碳。所述存储器装置另外包括插置于所述上与下导电线之间的相交点处的存储器单元堆叠。所述存储器单元堆叠包含在所述下导电线上方的第一有源元件及在所述第一有源元件上方的第二有源元件，其中所述第一及第二有源元件中的一者包括存储元件，且所述第一及第二有源元件的另一者包括选择器元件。所述存储器单元堆叠进一步包含插置于所述上及下导电线中的所述至少一者与所述第一及第二有源元件的较接近者之间的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 并入 包含 金属线 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：下导电线，其在第一方向上延伸；上导电线，其在第二方向上延伸且与所述下导电线交叉，其中所述上及下导电线中的至少一者包括交替层堆叠，所述交替层堆叠包括至少一个金属线及包含钨及碳的至少一个合金线；及存储器单元堆叠，其插置于所述上与下导电线之间的相交点处，所述存储器单元堆叠包含：在所述下导电线上方的第一有源元件及在所述第一有源元件上方的第二有源元件，其中所述第一及第二有源元件中的一者包括存储元件且所述第一及第二有源元件的另一者包括选择器元件，及电极，其插置于所述上及下导电线中的所述至少一者与所述第一及第二有源元件的较接近者之间。
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