[发明专利]以聚焦体积方法的晶片检验有效
| 申请号： | 201680006491.8 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107209125B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | G·H·陈;K·韦尔斯;M·胡贝尔;S·吴 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于检测半导体样本中的缺陷的方法及设备。使用检验工具以在多个聚焦设置下从所述样本的多个xy位置中的每一者收集强度数据集合。依据聚焦设置针对所述xy位置的经收集强度数据集合中的每一者提取具有多个系数的多项式方程式。用于所述多个xy位置的所述系数的值集合中的每一者是以对应系数图像平面表示。接着，分析系数图像平面的目标集合及系数图像平面的参考集合以检测所述样本上的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 体积 方法 晶片 检验 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测半导体样本上的缺陷的方法，所述方法包括：使用检验工具以在多个聚焦设置下从所述样本的多个xy位置中的每一者收集强度数据集合；依据聚焦设置针对所述xy位置的经收集强度数据集合中的每一者提取具有多个系数的多项式方程式；以对应系数图像平面表示用于所述多个xy位置的所述系数的值集合中的每一者以形成多个系数图像平面；及分析多个不同系数图像平面以检测所述样本上的缺陷，所述多个不同系数图像平面基于所述系数图像平面的目标集合与所述系数图像平面的参考集合的比较。
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