[发明专利]敏化染料染色液及光电极的制造方法有效
| 申请号： | 201680005099.1 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107112140B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 生驹笃;片桐友章;功刀俊介;铃木壮一郎 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种敏化染料染色液，其具有混合溶剂和敏化染料，其中，所述混合溶剂含有(A)含氮溶剂、(B)醇类溶剂及(C)含硫溶剂，并以1mM以上的浓度溶解有所述敏化染料。一种光电极的制造方法，其包括下述工序：通过使所述敏化染料染色液接触形成于基材上的半导体膜，利用所述敏化染料对所述半导体膜进行染色。 | ||
| 搜索关键词： | 染料 染色 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电极的制造方法，其是使用具有混合溶剂和敏化染料的敏化染料染色液对形成于基材表面的半导体膜进行染色从而制造光电极的方法，其中，所述混合溶剂中，(A)乙腈的含量为20～75体积％，(B)叔丁醇的含量为20～75体积％，(C)二甲亚砜的含量为1～60体积％，并以1mM以上且20mM以下的浓度溶解有所述敏化染料，所述制造方法具有以下工序：将表面形成有所述半导体膜的基材浸渍于所述敏化染料染色液中，且所述浸渍的时间低于1小时。
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