[实用新型]成像像素有效
申请号: | 201621419994.1 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206302500U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | S·威利卡奥;V·科罗博夫 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H04N5/235 | 分类号: | H04N5/235;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型涉及成像像素。成像像素包括钉扎光电二极管,钉扎光电二极管具有第一电势;钉扎转移二极管,钉扎转移二极管具有第二电势;其中第二电势高于第一电势;浮动扩散区,浮动扩散区具有第三电势,其中第三电势高于第二电势;第一转移晶体管,第一转移晶体管耦接在钉扎光电二极管与钉扎转移二极管之间;以及第二转移晶体管,第二转移晶体管耦接在钉扎转移二极管与浮动扩散区之间,其中第一转移晶体管、钉扎转移二极管和第二转移晶体管在钉扎光电二极管与浮动扩散区之间形成完全耗尽电荷转移路径。本实用新型解决的一个技术问题是抑制成像系统中出现的伪影。本实用新型实现的一个技术效果是捕获带有闪烁抑制的高动态范围图像。 | ||
搜索关键词: | 成像 像素 | ||
【主权项】:
一种成像像素,其特征在于包括:钉扎光电二极管,所述钉扎光电二极管具有第一电势;钉扎转移二极管,所述钉扎转移二极管具有第二电势;其中所述第二电势高于所述第一电势;浮动扩散区,所述浮动扩散区具有第三电势,其中所述第三电势高于所述第二电势;第一转移晶体管,所述第一转移晶体管耦接在所述钉扎光电二极管与所述钉扎转移二极管之间;以及第二转移晶体管,所述第二转移晶体管耦接在所述钉扎转移二极管与所述浮动扩散区之间,其中所述第一转移晶体管、所述钉扎转移二极管和所述第二转移晶体管在所述钉扎光电二极管与所述浮动扩散区之间形成完全耗尽电荷转移路径。
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