[实用新型]垂直耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计有效
| 申请号： | 201621318526.5 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN206960632U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 闫树斌;张彦军;张志东;汤跃;薛晨阳;张文栋 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源,武建云 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种垂直耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计，包括激光器，所述激光器出射的光束通过垂直耦合光栅Ⅰ耦合进入Y波导分束器，其中一束光经过相位调制单元后输出，另外一束光经调节补偿后输出，两路光束再分别经过垂直耦合光栅Ⅱ和垂直耦合光栅Ⅲ输出，分别依次经过偏振片、衰减片、波片、准直、聚焦之后进入气室，出射后，两束光经过探测单元转化为电信号后经过减法器输入集成电路芯片，所述集成电路芯片对激光器和相位调制单元进行调控。本方案相比于单光路的芯片级磁强计方案，该方案通过双光路共模抑制可以大大减小光功率起伏和频率起伏噪声的影响，有效提高CPT磁强计的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 耦合 纳米 波导 双光路 芯片级 磁强计 | ||
【主权项】：
一种垂直耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计，包括激光器，其特征在于：所述激光器出射的光束通过垂直耦合光栅Ⅰ耦合进入Y波导分束器，其中一束光经过相位调制单元后输出，另外一束光经调节补偿后输出，两路光束再分别经过垂直耦合光栅Ⅱ和垂直耦合光栅Ⅲ输出，分别依次经过偏振片、衰减片、波片、准直、聚焦之后进入气室，出射后，两束光经过探测单元转化为电信号后经过减法器输入集成电路芯片，所述集成电路芯片对激光器和相位调制单元进行调控；所述气室为铷原子气室，所述铷原子气室的上下分别设置有RF线圈和ITO加热片。
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