[实用新型]成像像素有效
| 申请号： | 201621092340.2 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206283595U | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | S·C·霍恩格 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种成像像素。该成像像素包括上衬底层；下衬底层；浮动扩散区；所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管；插入所述上衬底层和所述下衬底层之间的互连层，所述互连层将所述上衬底层耦接到所述下衬底层；以及所述下衬底层中的第一存储电容器。本实用新型解决的一个技术问题是使用相关双采样技术获取高动态范围图像。本实用新型实现的一个技术效果是提供可以使用相关双采样技术获取高动态范围图像的改善的CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 像素 | ||
【主权项】：
一种成像像素，其特征在于包括：上衬底层；下衬底层；浮动扩散区；所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管；插入所述上衬底层和所述下衬底层之间的互连层，所述互连层将所述上衬底层耦接到所述下衬底层；以及所述下衬底层中的第一存储电容器。
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