[实用新型]一种霍尔元件有效
| 申请号： | 201620926404.8 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN206194791U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;黄勇;颜建;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡层是不参与导通的，因此，P型锑化铟层不影响器件性能。而因为P型锑化铟层的存在，形成在其上方的非掺杂锑化铟层缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而有效提高了霍尔元件灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 | ||
【主权项】：
一种霍尔元件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层；所述P型锑化铟层的厚度为20nm～1000nm；所述锑化铟层厚度为100nm‑2000nm；还包括形成在所述非掺杂锑化铟层上的电极。
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